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凰騰股份有限公司 ( 原瀚薪科技 ) 是匯聚焦寬能隙(Wide Band-gap)材料基礎的高功率半導體設計公司。
長期致力於碳化矽(Sillicon Carbide;SiC )與氮化鎵(Gallium Nitride;GaN)功率半導體技術與產品開發,客戶應用範圍涵蓋各電源供應器(Power Supply )、太陽光電逆變器(PV Inverter)、 新能源汽車/電動車(EV/HEV)等高效率電力電子系統。
SiC Schottkey Diode
.極快速的反向恢復
.優異的浪湧電流能力
.高温反向漏電流低
.175℃的結温能力
.高耐壓的蕭特基高速元件結構
.元件特性與温度相依性低
SiC MOSFET
.低導通電阻
.高速(高頻)切換
.高耐壓
產品 | 規格 | 包裝 | |
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SiCSBD |
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650V | 2A/4A 6A/8A 10A/15A 20A/35A 40A/60A 100A |
TO-220 TO-220F TO-252 TO-263 TO-247 Bbare Chip |
|
120V |
2A/5A 8A/10A 16A/20A 30A/40A 60A |
TO-220 TO-220F TO-252 TO-263 TO-247 Bare Chip |
|
SiCMOS |
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650V |
20mΩ/100A 50mΩ/50A 100mΩ/25A 200mΩ/12A |
TO-220 TO-247-3L Bare Chip QFN8*8 ( under planning) |
|
1200V |
30mΩ/84A 60mΩ/42A 120mΩ/21A 240mΩ/10A |
TO-247-3L BareChip TO-247-4L (under planning) |
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1700V | 40mΩ, 1Ω |
TO-247-3L Bare Chip TO-247-4L (under plannng) |
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3300V | 80mΩ |
BareChip |
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Full SiC Moudule |
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650V | 5mΩ/450A 2.5mΩ/900A |
Module |
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1200v | 7.5mΩ/300A 5.63mΩ/450A 3.75mΩ/600A |
Module |